Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ханефт, А. В. - Ионные и электронные процессы и контактные явления в широкозонных полупроводниках
Ханефт, А. В. - Ионные и электронные процессы и контактные явления в широкозонных полупроводниках
Нет экз.
Электронный ресурс
Автор: Ханефт, А. В.
Ионные и электронные процессы и контактные явления в широкозонных полупроводниках : электронное учебное пособие
Издательство: Кемеровский государственный университет, 2014 г.
ISBN 978-5-8353-1636-6
Автор: Ханефт, А. В.
Ионные и электронные процессы и контактные явления в широкозонных полупроводниках : электронное учебное пособие
Издательство: Кемеровский государственный университет, 2014 г.
ISBN 978-5-8353-1636-6
Электронный ресурс
Ханефт, А. В.
Ионные и электронные процессы и контактные явления в широкозонных полупроводниках : электронное учебное пособие. – 2 изд., доп., исправл. и переработанное. – Кемерово : Кемеровский государственный университет, 2014. – 148 с. – URL: http://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=437492 . – На рус. яз. – ISBN 978-5-8353-1636-6.
В учебном пособии рассмотрено теоретически влияние электрического поля на поляризацию и перенос собственных дефектов в ионных кристаллах, тепловой пробой ионных диэлектриков, влияние точечных дефектов на электронное равновесие в ионном кристалле, а также контактные явления в широкозонных полупроводниках.Предназначено магистрантам направления подготовки 011200 Физика. Оно также может быть полезным преподавателям вузов, аспирантам и научным работникам.
544.22.022.342
Ханефт, А. В.
Ионные и электронные процессы и контактные явления в широкозонных полупроводниках : электронное учебное пособие. – 2 изд., доп., исправл. и переработанное. – Кемерово : Кемеровский государственный университет, 2014. – 148 с. – URL: http://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=437492 . – На рус. яз. – ISBN 978-5-8353-1636-6.
В учебном пособии рассмотрено теоретически влияние электрического поля на поляризацию и перенос собственных дефектов в ионных кристаллах, тепловой пробой ионных диэлектриков, влияние точечных дефектов на электронное равновесие в ионном кристалле, а также контактные явления в широкозонных полупроводниках.Предназначено магистрантам направления подготовки 011200 Физика. Оно также может быть полезным преподавателям вузов, аспирантам и научным работникам.
544.22.022.342