Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Сысоев, И. А. - Градиентная эпитаксия для получения микро- и наноструктур твердых растворов А<sup>III</sup>В<sup>...
Сысоев, И. А. - Градиентная эпитаксия для получения микро- и наноструктур твердых растворов А<sup>III</sup>В<sup>...
Нет экз.
Электронный ресурс
Автор: Сысоев, И. А.
Градиентная эпитаксия для получения микро- и наноструктур твердых растворов АIIIВ... : монография
Издательство: СКФУ, 2015 г.
ISBN 978-5-9296-0785-1
Автор: Сысоев, И. А.
Градиентная эпитаксия для получения микро- и наноструктур твердых растворов АIIIВ... : монография
Издательство: СКФУ, 2015 г.
ISBN 978-5-9296-0785-1
На полку
Электронный ресурс
22.36
Сысоев, И. А.
Градиентная эпитаксия для получения микро- и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону : монография / Л.С. Лунин. – Ставрополь : СКФУ, 2015. – 97 с. – URL: http://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=458366 . – На рус. яз. – ISBN 978-5-9296-0785-1.
В монографии представлены физико-химические основы градиентной эпитаксии (ГЭ) в газовой фазе через тонкую зону применительно к многокомпонентным соединениям АIIIВV. Приводится мето-дика и алгоритм расчета по закономерностям роста эпитаксиальных слоев для многокомпонентных твердых растворов соединений АIIIВV. Обсуждаются возможности получения различных микро- и нано-структур соединений АIIIВV с помощью ГЭ через газовую зону. Рассмотрено влияние различных технологических параметров (температура, температурный градиент, толщина зазора между источником и подложкой и т. д.) на свойства получаемых гетероструктур.Монография адресована магистрам, асптирантам и преподавателям, а также исследователям, работающими в области технологии полупроводниковых материалов соединений А3В5 с микро- и нано-структурой.
ББК 22.36
539.21
22.36
Сысоев, И. А.
Градиентная эпитаксия для получения микро- и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону : монография / Л.С. Лунин. – Ставрополь : СКФУ, 2015. – 97 с. – URL: http://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=458366 . – На рус. яз. – ISBN 978-5-9296-0785-1.
В монографии представлены физико-химические основы градиентной эпитаксии (ГЭ) в газовой фазе через тонкую зону применительно к многокомпонентным соединениям АIIIВV. Приводится мето-дика и алгоритм расчета по закономерностям роста эпитаксиальных слоев для многокомпонентных твердых растворов соединений АIIIВV. Обсуждаются возможности получения различных микро- и нано-структур соединений АIIIВV с помощью ГЭ через газовую зону. Рассмотрено влияние различных технологических параметров (температура, температурный градиент, толщина зазора между источником и подложкой и т. д.) на свойства получаемых гетероструктур.Монография адресована магистрам, асптирантам и преподавателям, а также исследователям, работающими в области технологии полупроводниковых материалов соединений А3В5 с микро- и нано-структурой.
ББК 22.36
539.21