Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Гуззитаева, М. Ф. - Разработка силоксанового тиксотропного компаунда, предназначенного для защиты высоковольтных полу...
Гуззитаева, М. Ф. - Разработка силоксанового тиксотропного компаунда, предназначенного для защиты высоковольтных полу...

Нет экз.
Электронный ресурс
Автор: Гуззитаева, М. Ф.
Разработка силоксанового тиксотропного компаунда, предназначенного для защиты высоковольтных полу... : студенческая научная работа
Издательство: [Б. и.], 2020 г.
ISBN отсутствует
Автор: Гуззитаева, М. Ф.
Разработка силоксанового тиксотропного компаунда, предназначенного для защиты высоковольтных полу... : студенческая научная работа
Издательство: [Б. и.], 2020 г.
ISBN отсутствует
Электронный ресурс
Гуззитаева, М. Ф.
Разработка силоксанового тиксотропного компаунда, предназначенного для защиты высоковольтных полупроводниковых приборов : студенческая научная работа / Северо-Осетинский государственный университет им. Коста Левановича Хетагурова. – Владикавказ : [Б. и.], 2020. – 53 с. : ил., табл., граф. – URL: https://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=597707. – Режим доступа: электронная библиотечная система «Университетская библиотека ONLINE», требуется авторизация . – Библиогр. в кн . – На рус. яз.
В современном электронном приборостроении уделяется особое внимание разработке новых типов кремниевых высоковольтных полупроводниковых приборов (ПП), работающих при напряжениях 10кВ и выше с предельной рабочей температурой 175-200оС. Это требует создания новых защитных материалов, обладающих высокими электроизоляционными характеристиками в широком диапазоне температур, влаго- и термостойкостью, хорошими физико-механическими свойствами, отсутствием коррозии к конструкционным материалам и способностью к пассивации активной поверхности полупроводникового прибора.Работа направлена на решение актуальной проблемы создания новых полимерных материалов со специальными свойствами, предназначенных для защиты изделий микро- и наноэлектроники.
Гуззитаева, М. Ф.
Разработка силоксанового тиксотропного компаунда, предназначенного для защиты высоковольтных полупроводниковых приборов : студенческая научная работа / Северо-Осетинский государственный университет им. Коста Левановича Хетагурова. – Владикавказ : [Б. и.], 2020. – 53 с. : ил., табл., граф. – URL: https://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=597707. – Режим доступа: электронная библиотечная система «Университетская библиотека ONLINE», требуется авторизация . – Библиогр. в кн . – На рус. яз.
В современном электронном приборостроении уделяется особое внимание разработке новых типов кремниевых высоковольтных полупроводниковых приборов (ПП), работающих при напряжениях 10кВ и выше с предельной рабочей температурой 175-200оС. Это требует создания новых защитных материалов, обладающих высокими электроизоляционными характеристиками в широком диапазоне температур, влаго- и термостойкостью, хорошими физико-механическими свойствами, отсутствием коррозии к конструкционным материалам и способностью к пассивации активной поверхности полупроводникового прибора.Работа направлена на решение актуальной проблемы создания новых полимерных материалов со специальными свойствами, предназначенных для защиты изделий микро- и наноэлектроники.