Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Данилов, В. С. - Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов
Данилов, В. С. - Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов
Нет экз.
Электронный ресурс
Автор: Данилов, В. С.
Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов : учебное пособие
Серия: Учебники НГТУ
Издательство: Новосибирский государственный технический университет, 2014 г.
ISBN 978-5-7782-2406-3
Автор: Данилов, В. С.
Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов : учебное пособие
Серия: Учебники НГТУ
Издательство: Новосибирский государственный технический университет, 2014 г.
ISBN 978-5-7782-2406-3
На полку
Электронный ресурс
Данилов, В. С.
Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов : учебное пособие / Ю.Н. Раков. – Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2014. – 418 с. – (Учебники НГТУ) . – URL: http://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=436202 . – На рус. яз. – ISBN 978-5-7782-2406-3.
В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела; дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигналов. Рассмотрены процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на GaAs, применяемых в СВЧ-диапазоне; раскрыта электрофизика селективно легированных гетероструктурных транзисторов. Приведены новые отечественные и зарубежные разработки, проведено их сравнение по основным характеристикам.Пособие адресовано прежде всего магистрантам и аспирантам, уже знакомым с твердотельными устройствами.
621.382:53(075.8)
Данилов, В. С.
Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов : учебное пособие / Ю.Н. Раков. – Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2014. – 418 с. – (Учебники НГТУ) . – URL: http://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=436202 . – На рус. яз. – ISBN 978-5-7782-2406-3.
В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела; дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигналов. Рассмотрены процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на GaAs, применяемых в СВЧ-диапазоне; раскрыта электрофизика селективно легированных гетероструктурных транзисторов. Приведены новые отечественные и зарубежные разработки, проведено их сравнение по основным характеристикам.Пособие адресовано прежде всего магистрантам и аспирантам, уже знакомым с твердотельными устройствами.
621.382:53(075.8)