Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Чеботарев, С. Н. - Полупроводниковые наногетероструктуры с промежуточной подзоной
Чеботарев, С. Н. - Полупроводниковые наногетероструктуры с промежуточной подзоной
Нет экз.
Электронный ресурс
Автор: Чеботарев, С. Н.
Полупроводниковые наногетероструктуры с промежуточной подзоной
Издательство: ФИЗМАТЛИТ, 2016 г.
ISBN 978-5-9221-1694-7
Автор: Чеботарев, С. Н.
Полупроводниковые наногетероструктуры с промежуточной подзоной
Издательство: ФИЗМАТЛИТ, 2016 г.
ISBN 978-5-9221-1694-7
На полку
Электронный ресурс
Чеботарев, С. Н.
Полупроводниковые наногетероструктуры с промежуточной подзоной. – Москва : ФИЗМАТЛИТ, 2016. – 192 с. : табл., граф., схем. – URL: https://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=485236. – Режим доступа: электронная библиотечная система «Университетская библиотека ONLINE», требуется авторизация . – Библиогр. в кн . – На рус. яз. – ISBN 978-5-9221-1694-7.
Рассмотрены физические свойства и закономерности формирования полупроводниковых наногетероструктур с промежуточной подзоной. Представлены механический и термодинамический подходы к описанию самоорганизованного роста в процессе релаксации механически напряженных гетеросистем с различающимися параметрами кристаллических решеток. Описаны методы получения и аналитические методики исследования свойств полупроводниковых наноструктур. Основное внимание уделено новому перспективному ростовому методу — ионно-лучевой кристаллизации. Проведены исследования массопереноса и закономерностей формирования гетероструктур с квантовыми точками, полученных ионно-лучевой кристаллизацией. Развит математический аппарат функций Грина и получены данные о распределении механических напряжений в нанослоях, содержащих включения кубической, гексагональной и пирамидальной формд ля гетеросистемInAs/GaAs(111), InN/AlN(0001), InAs/GaAs(001). Проведено моделирование, выращены и измерены характеристики прототипов фотоэлектрических преобразователей с промежуточной энергетической подзоной для прямозонных и непрямозонных наногетеросистем.Книга предназначена научными инженерно-техническим работникам, специализирующимся в области физики и технологии полупроводниковой оптоэлектроники.
537.22
Чеботарев, С. Н.
Полупроводниковые наногетероструктуры с промежуточной подзоной. – Москва : ФИЗМАТЛИТ, 2016. – 192 с. : табл., граф., схем. – URL: https://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=485236. – Режим доступа: электронная библиотечная система «Университетская библиотека ONLINE», требуется авторизация . – Библиогр. в кн . – На рус. яз. – ISBN 978-5-9221-1694-7.
Рассмотрены физические свойства и закономерности формирования полупроводниковых наногетероструктур с промежуточной подзоной. Представлены механический и термодинамический подходы к описанию самоорганизованного роста в процессе релаксации механически напряженных гетеросистем с различающимися параметрами кристаллических решеток. Описаны методы получения и аналитические методики исследования свойств полупроводниковых наноструктур. Основное внимание уделено новому перспективному ростовому методу — ионно-лучевой кристаллизации. Проведены исследования массопереноса и закономерностей формирования гетероструктур с квантовыми точками, полученных ионно-лучевой кристаллизацией. Развит математический аппарат функций Грина и получены данные о распределении механических напряжений в нанослоях, содержащих включения кубической, гексагональной и пирамидальной формд ля гетеросистемInAs/GaAs(111), InN/AlN(0001), InAs/GaAs(001). Проведено моделирование, выращены и измерены характеристики прототипов фотоэлектрических преобразователей с промежуточной энергетической подзоной для прямозонных и непрямозонных наногетеросистем.Книга предназначена научными инженерно-техническим работникам, специализирующимся в области физики и технологии полупроводниковой оптоэлектроники.
537.22