Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Данилов, В. С. - Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов
Данилов, В. С. - Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов
Нет экз.
Электронный ресурс
Автор: Данилов, В. С.
Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов : учебное пособие
Серия: Учебники НГТУ
Издательство: Новосибирский государственный технический университет, 2017 г.
ISBN 978-5-7782-3369-0
Автор: Данилов, В. С.
Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов : учебное пособие
Серия: Учебники НГТУ
Издательство: Новосибирский государственный технический университет, 2017 г.
ISBN 978-5-7782-3369-0
На полку
Электронный ресурс
Данилов, В. С.
Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов : учебное пособие / Новосибирский государственный технический университет. – Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2017. – 418 с. : ил., табл. – (Учебники НГТУ) . – URL: https://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=575345. – Режим доступа: электронная библиотечная система «Университетская библиотека ONLINE», требуется авторизация . – Библиогр. в кн . – На рус. яз. – ISBN 978-5-7782-3369-0.
В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела; дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигналов. Рассмотрены процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на GaAs, применяемых в СВЧ-диапазоне; раскрыта электрофизика селективно легированных гетероструктурных транзисторов. Приведены новые отечественные и зарубежные разработки, проведено их сравнение по основным характеристикам.Пособие адресовано прежде всего магистрантам и аспирантам, уже знакомым с твердотельными устройствами.
621.382:53(075.8)
Рубрикатор Университетской библиотеки онлайн = Учебник для высшей школы
Данилов, В. С.
Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов : учебное пособие / Новосибирский государственный технический университет. – Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2017. – 418 с. : ил., табл. – (Учебники НГТУ) . – URL: https://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=575345. – Режим доступа: электронная библиотечная система «Университетская библиотека ONLINE», требуется авторизация . – Библиогр. в кн . – На рус. яз. – ISBN 978-5-7782-3369-0.
В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела; дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигналов. Рассмотрены процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на GaAs, применяемых в СВЧ-диапазоне; раскрыта электрофизика селективно легированных гетероструктурных транзисторов. Приведены новые отечественные и зарубежные разработки, проведено их сравнение по основным характеристикам.Пособие адресовано прежде всего магистрантам и аспирантам, уже знакомым с твердотельными устройствами.
621.382:53(075.8)
Рубрикатор Университетской библиотеки онлайн = Учебник для высшей школы