Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Иванова, Т. - Лазерная перестройка экситонного резонанса в монослоях дихалькогенидов переходных металлов
Иванова, Т. - Лазерная перестройка экситонного резонанса в монослоях дихалькогенидов переходных металлов
Нет экз.
Электронный ресурс
Автор: Иванова, Т.
Лазерная перестройка экситонного резонанса в монослоях дихалькогенидов переходных металлов : студенческая научная работа
Издательство: [Б. и.], 2020 г.
ISBN отсутствует
Автор: Иванова, Т.
Лазерная перестройка экситонного резонанса в монослоях дихалькогенидов переходных металлов : студенческая научная работа
Издательство: [Б. и.], 2020 г.
ISBN отсутствует
На полку
Электронный ресурс
Иванова, Т.
Лазерная перестройка экситонного резонанса в монослоях дихалькогенидов переходных металлов : студенческая научная работа. – Санкт-Петербург : [Б. и.], 2020. – 59 с. : ил., табл., граф. – URL: https://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=596975. – Режим доступа: электронная библиотечная система «Университетская библиотека ONLINE», требуется авторизация . – Библиогр. в кн . – На рус. яз.
В настоящее время процесс создания материалов с заданными свойствами является одним из ключевых факторов развития современной полупроводниковой электроники и оптоэлектроники. Гетероструктуры, созданные путем объединения двух или более материалов с различными электронными свойствами (например, изоляционными, полупроводниковыми и металлическими) на одной подложке, являются центральной концепцией современной электроники.Целью нной даработы является создание гибридных структур из материалов с фазовой памятью и двумерных слоев дихалькогенидов переходных металлов, позволяющих динамически управлять локальной энергией связи экситона в двумерном материале за счет изменения статической диэлектрической проницаемости материала посредством воздействия лазерных фемтосекундных импульсов.
Иванова, Т.
Лазерная перестройка экситонного резонанса в монослоях дихалькогенидов переходных металлов : студенческая научная работа. – Санкт-Петербург : [Б. и.], 2020. – 59 с. : ил., табл., граф. – URL: https://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=596975. – Режим доступа: электронная библиотечная система «Университетская библиотека ONLINE», требуется авторизация . – Библиогр. в кн . – На рус. яз.
В настоящее время процесс создания материалов с заданными свойствами является одним из ключевых факторов развития современной полупроводниковой электроники и оптоэлектроники. Гетероструктуры, созданные путем объединения двух или более материалов с различными электронными свойствами (например, изоляционными, полупроводниковыми и металлическими) на одной подложке, являются центральной концепцией современной электроники.Целью нной даработы является создание гибридных структур из материалов с фазовой памятью и двумерных слоев дихалькогенидов переходных металлов, позволяющих динамически управлять локальной энергией связи экситона в двумерном материале за счет изменения статической диэлектрической проницаемости материала посредством воздействия лазерных фемтосекундных импульсов.