Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Акчурин, Р. Х. - МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
Акчурин, Р. Х. - МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
Нет экз.
Электронный ресурс
Автор: Акчурин, Р. Х.
МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники : практическое пособие
Издательство: Техносфера, 2018 г.
ISBN 978-5-94836-521-3
Автор: Акчурин, Р. Х.
МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники : практическое пособие
Издательство: Техносфера, 2018 г.
ISBN 978-5-94836-521-3
На полку
Электронный ресурс
Акчурин, Р. Х.
МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники : практическое пособие. – Москва : Техносфера, 2018. – 488 с. : ил., схем. – URL: https://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=596996. – Режим доступа: электронная библиотечная система «Университетская библиотека ONLINE», требуется авторизация . – На рус. яз. – ISBN 978-5-94836-521-3.
В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов.Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники.Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.
621.382
621.315
Акчурин, Р. Х.
МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники : практическое пособие. – Москва : Техносфера, 2018. – 488 с. : ил., схем. – URL: https://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=596996. – Режим доступа: электронная библиотечная система «Университетская библиотека ONLINE», требуется авторизация . – На рус. яз. – ISBN 978-5-94836-521-3.
В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов.Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники.Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.
621.382
621.315