Электронный каталог Фундаментальной
библиотеки ФГБОУ ВО МГППУ

Электронный ресурс

Смирнова, М. А.
Угловые зависимости распыления кремния фокусированным ионным пучком галлия: выпускная квалификационная работа (магистерская диссертация) : студенческая научная работа / Ярославский государственный университет им. П. Г. Демидова ; Базовая кафедра нанотехнологий в электронике. – Ярославль : [Б. и.], 2019. – 48 с. : ил., табл., схем. – URL: https://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=562873. – Режим доступа: электронная библиотечная система «Университетская библиотека ONLINE», требуется авторизация . – Библиогр.: с.45-48. – На рус. яз.

Объем 48 с., 4 гл., 26 рис., 1 табл., 45 источников. Цель работы – получение экспериментальных данных по угловым зависимостям состава поверхности и коэффициента распыления кремния фокусированным ионным пучком галлия.Задачи исследования:- подготовка образцов для исследования угловых зависимостей распыления Si фокусированным ионным пучком Ga;- экспериментальное определение зависимости коэффициента распыления Si от дозы облучения;- экспериментальное определение зависимости коэффициента распыления Si от угла падения ионного пучка;- моделирование зависимости коэффициента распыления Si от угла падения ионного пучка в программе TRIDYN;- проведение анализа элементного состава кратеров распыления методом растровой Оже-электронной спектроскопии;- проведение послойного анализа приповерхностного слоя кремниевого образца, облученного ионами Ga, методом вторичной ионной масс-спектрометрии;Изготовлено 8 серий экспериментальных образцов, проведен количественный и качественный анализ поверхности этих образцов методами РОР, РОЭС и ВИМС, а также получена экспериментальная зависимость коэффициента распыления Si от угла падения ионного пучка. Помимо получения экспериментальных данных, было произведено моделирование по распылению Si фокусированным ионным пучком Ga в программе TRIDYN и определена угловая зависимость коэффициента распыления Si от угла падения ионов Ga.В работе показано что, коэффициент распыления возрастает по мере роста угла падения ионного пучка относительно нормали к поверхности, концентрация Ga на поверхности Si убывает при увеличении угла падения пучка. Результаты проведенных  экспериментов и моделирования хорошо согласуются с аналогичными работами других авторов. Работа выполнена на базовой кафедре нанотехнологий в электронике ФГБОУ ВО "ЯрГУ им. П.Г. Демидова" в ЯФ ФТИАН им. К.А.Валиева РАН на оборудовании Центра коллективного пользования «Диагностика микро и наноструктур» при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ.