Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Клюшников, С. В. - Светодиоды и их применение. Физические основы работы светодиода
Клюшников, С. В. - Светодиоды и их применение. Физические основы работы светодиода
Нет экз.
Электронный ресурс
Автор: Клюшников, С. В.
. 1: Светодиоды и их применение : монография. Физические основы работы светодиода
Издательство: Московский институт энергобезопасности и энергосбережения (МИЭЭ), 2012 г.
ISBN отсутствует
Автор: Клюшников, С. В.
. 1: Светодиоды и их применение : монография. Физические основы работы светодиода
Издательство: Московский институт энергобезопасности и энергосбережения (МИЭЭ), 2012 г.
ISBN отсутствует
На полку
Электронный ресурс
Клюшников, С. В.
1 : Физические основы работы светодиода : Светодиоды и их применение : монография. – Москва : Московский институт энергобезопасности и энергосбережения (МИЭЭ), 2012. – 100 с. : схем., табл., ил. – URL: https://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=336037. – Режим доступа: электронная библиотечная система «Университетская библиотека ONLINE», требуется авторизация . – Библиогр. в кн . – На рус. яз.
В доступной форме рассматриваются основополагающие принципы работы светоизлучающих диодов. Изложены процессы, проходящие в собственных, примесных полупроводниках, на границе кристаллов и в поверхностном слое, в барьере на границах p-n перехода. Изложены методики расчета электрического поля в барьере и прямого тока в полупроводнике.Для студентов среднетехнических и высших учебных заведений и всех интересующихся светодиодной техникой.
628.9.04
621.385
Клюшников, С. В.
1 : Физические основы работы светодиода : Светодиоды и их применение : монография. – Москва : Московский институт энергобезопасности и энергосбережения (МИЭЭ), 2012. – 100 с. : схем., табл., ил. – URL: https://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=336037. – Режим доступа: электронная библиотечная система «Университетская библиотека ONLINE», требуется авторизация . – Библиогр. в кн . – На рус. яз.
В доступной форме рассматриваются основополагающие принципы работы светоизлучающих диодов. Изложены процессы, проходящие в собственных, примесных полупроводниках, на границе кристаллов и в поверхностном слое, в барьере на границах p-n перехода. Изложены методики расчета электрического поля в барьере и прямого тока в полупроводнике.Для студентов среднетехнических и высших учебных заведений и всех интересующихся светодиодной техникой.
628.9.04
621.385