Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Квеглис, Л.И. - Диссипативные структуры в тонких нанокристаллических пленках
Квеглис, Л.И. - Диссипативные структуры в тонких нанокристаллических пленках
Нет экз.
Электронный ресурс
Автор: Квеглис, Л.И.
Диссипативные структуры в тонких нанокристаллических пленках
Издательство: Сибирский федеральный университет (СФУ), 2011 г.
ISBN 978-5-7638-2101-7
Автор: Квеглис, Л.И.
Диссипативные структуры в тонких нанокристаллических пленках
Издательство: Сибирский федеральный университет (СФУ), 2011 г.
ISBN 978-5-7638-2101-7
На полку
Электронный ресурс
Квеглис, Л.И.
Диссипативные структуры в тонких нанокристаллических пленках / Л.И. Квеглис ; Кашкин В. Б. – Красноярск : Сибирский федеральный университет (СФУ), 2011. – 204 с. – URL: http://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=229315 . – На рус. яз. – ISBN 978-5-7638-2101-7.
Обобщен опыт исследований физических эффектов в диссипативных структурах методами обработки изображений, в том числе с применением преобразования Фурье. Исследованы диссипативные структуры в аморфных и нанокристаллических пленках. Рассмотрено моделирование процессов взрывной кристаллизации и формирующихся атомных структур.Предназначена для специалистов в области материаловедения и физики конденсированного состояния. Может быть полезна аспирантам и студентам, интересующимся электронной микроскопией.
Квеглис, Л.И.
Диссипативные структуры в тонких нанокристаллических пленках / Л.И. Квеглис ; Кашкин В. Б. – Красноярск : Сибирский федеральный университет (СФУ), 2011. – 204 с. – URL: http://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=229315 . – На рус. яз. – ISBN 978-5-7638-2101-7.
Обобщен опыт исследований физических эффектов в диссипативных структурах методами обработки изображений, в том числе с применением преобразования Фурье. Исследованы диссипативные структуры в аморфных и нанокристаллических пленках. Рассмотрено моделирование процессов взрывной кристаллизации и формирующихся атомных структур.Предназначена для специалистов в области материаловедения и физики конденсированного состояния. Может быть полезна аспирантам и студентам, интересующимся электронной микроскопией.